FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1900pF @ 15V

功率耗散（最大值）：47W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO220-3-1

封装/外壳：PG-TO220-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：50A

Rds On-漏源导通电阻：8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：47W

通道模式：Enhancement

高度：15.65mm

长度：10mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.4mm

下降时间：2.8ns

上升时间：3.6ns

典型关闭延迟时间：18ns

典型接通延迟时间：4.6ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs